半导体激光器是几能级?

3级。

半导体激光在1962年被成功激发，在1970年实现室温下连续输出，输出连续激光大于500mW，是3级。

激光器能发射激光的装置，1954年制成了第一台微波量子放大器，获得了高度相干的微波束，1958年肖洛和汤斯把微波量子放大器原理推广应用到光频范围，1960年梅曼制成了第一台红宝石激光器。

锗、硅、硒、砷化镓及许多金属氧化物和金属硫化物等物体，它们的导电能力介于导体和绝缘体之间，叫做半导体。半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件(热敏电阻);利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用(用黑色箭头表示)。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用(用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向)。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

半导体激光器的优点

半导体激光器由于其相对较小的尺寸和功耗，在通信和信息处理等领域中得到广泛应用。具有瞬态响应好、开关速度快、寿命长、很小的能耗和体积、制造工艺简单等优点。在医疗、现代制造业以及化学、物理学等领域也得到了广泛的应用。